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    歡迎訪(fǎng)問(wèn)中國科學(xué)院重慶綠色智能技術(shù)研究院!

    研究員

    趙洪泉 量子信息技術(shù)中心主任
    性別:
    職稱(chēng):研究員
    學(xué)歷:博士
    電話(huà):
    電子郵箱:hqzhao@cigit.ac.cn
    職務(wù):量子信息技術(shù)中心主任
    簡(jiǎn)歷

    趙洪泉,20066月在中國科學(xué)院半導體所獲博士學(xué)位。20068月赴日本北海道大學(xué)量子電子學(xué)集成中心,作為COE研究員從事納米量子器件和納米集成電路研究,20094月進(jìn)入日本大阪大學(xué)產(chǎn)業(yè)科學(xué)研究所,作為JSPS研究員從事量子光學(xué)方面的研究。2016年入選中科院西部青年學(xué)者A類(lèi)人才,2020年入選重慶英才 名家名師。

    所屬部門(mén)

    量子信息技術(shù)中心

    研究領(lǐng)域

     二維量子材料、器件、量子光學(xué)

    社會(huì )任職

     重慶市電子科學(xué)學(xué)會(huì )理事

    獲獎及榮譽(yù)

    2017年重慶市科協(xié)自然科學(xué)優(yōu)秀論文獎

    2019年重慶市科協(xié)自然科學(xué)優(yōu)秀論文獎  

    2020年重慶市電子科學(xué)學(xué)會(huì )“十佳優(yōu)秀科技工作者”

    代表論著(zhù)

    1. Ultra-thin GeSe/WS2 vertical heterojunction with excellent optoelectronic performances, Advanced Optical Materials, Adv. Optical Mater. 2022, 通訊作者

    2. Substantially Enhanced Properties of CVD grown 2D WS2: High Concentration of Caption Substitutional Doping by Erbium against Vacancy Generation, Research, 2022,第一作者  

    3. Effect of spontaneous emission on the shortcut to adiabaticity in three-state systems, Phys. Rev. A,2021,通訊作者  

    4. Fast and Broadband Photoresponse of a Few-Layer GeSe Field E?ect Transistor with Direct Band Gaps,ACS Appl. Mater. Interfaces, 2019, 第一作者  

    5. Enhancement of photoluminescence efficiency in GeSe ultrathin slab by thermal treatment and annealing: experiment and first-principles molecular dynamics simulations,Scientific Reports, 2019, 通訊作者  

    6. Band structure and photoelectric characterization of GeSe monolayer,Advacend Functional Materials, 2018, 第一作者  

    7. Design lithium storage materials by lithium adatoms adsorption at the edges of zigzag silicene nanoribbon: A first principle study, Applied Surface Science, 2017,通訊作者  

    8. Robust quantum state transfer inspired by Dzyaloshinskii-Moriya interactions, Physical Review A,2017,通訊作者  

    9. Microscopic Description of Spontaneous Emission in Stark Chirped Rapid Adiabatic Passages, Int J Theor Phys, 2017,通訊作者  

    10. Bandgap modulation of MoS2 monolayer by thermal annealing and quick cooling,Nanoscale, 2016, 第一作者

    承擔科研項目情況

    1.重慶英才 名家名師人才項目,40萬(wàn)(含兩江新區項目補貼20萬(wàn)),2021-2023,主持。  

    2.國家自然科學(xué)基金面上項目,61775214 ,金剛石納柱腔NV色心密集量子點(diǎn)群的超熒光量子相干光源研究,2018.1.1-2021.12.30,62萬(wàn),在研,主持。  

    3.重慶市自然科學(xué)重點(diǎn)項目,cstc2019jcyj-zdxmX0003,基于金剛石曲面納柱腔結構的NV色心單光子器件研究,2019.9.1-2022.8.31,80萬(wàn),在研,主持。  

    4.軍委總裝裝備預研領(lǐng)域基金項目,超高速紅外光譜測量技術(shù)研究,2019-2020,50萬(wàn),結題,主持。  

    5.中國科學(xué)院西部青年學(xué)者A類(lèi)人才計劃,中國科學(xué)院人才項目經(jīng)費,(50萬(wàn)) 2017/01-2019/12,已結題,主持。  

    6.集成光電子國家重點(diǎn)實(shí)驗室,IOSKL2013KF06,基于納米波導與微腔耦合的金剛石NV體系原子非線(xiàn)性CNOT門(mén)研究,2014/06-2015/06,20萬(wàn),已結題,主持。  

    7.中國科學(xué)院基礎前沿創(chuàng )新研究項目,Y41Z030W10,納米金剛石NV體系材料優(yōu)化和單光子糾纏態(tài)實(shí)驗制備研究,2014/01-2015/12,30萬(wàn),已結題,主持。  

    8.重慶市科委基礎前沿重大項目, CSTC2013jcyj40001,納米固態(tài)量子效應與光量子態(tài)研究,170萬(wàn),2013/8-2017/8,已結題,主持。